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BA503	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BB503	文件：64.739 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503	文件：64.66 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503C	文件：64.66 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503C	文件：217.98 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503CCS-TL-E	文件：217.98 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503M	文件：300.97 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB503M	文件：64.739 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB503MCS-TL-E	文件：300.97 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC503	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCR503	文件：531.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR503	文件：35.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCR503	文件：43.15 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR503	文件：138.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD503N	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BD503P	文件：1.288 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BD503P	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BD-A503RD	文件：197.87 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BD-A503RD-A	文件：197.87 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BD-C503RD	文件：197.87 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE

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详细参数

型号：
J503
功能描述：
电流和电力监控器、调节器 0.56mA +/-20%
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Current Regulators
电源电压-最大：
48 V
电源电压-最小：
5.5 V
工作温度范围：
- 40 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
HPSO-8
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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