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IXYP20N65C3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXYP20N65C3D1 |
参数属性 | IXYP20N65C3D1 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 650V 18A 50W TO220 |
功能描述 | XPTTM 650V IGBT |
文件大小 |
248.29 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-16 10:08:00 |
IXYP20N65C3D1规格书详情
IXYP20N65C3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXYP20N65C3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXYP20N65C3D1
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
GenX3™, XPT™
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,20A
- 开关能量:
430µJ(开),350µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/80ns
- 测试条件:
400V,20A,20 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 650V 18A 50W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
NA |
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IXYS |
18+ |
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