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IXYP15N65C3D1

Preliminary Technical Information

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYP15N65C3D1

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYP15N65C3D1

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 38A 200W TO220

IXYS

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IXYP15N65C3D1M

Optimized for 20-60kHz Switching

XPT™650VIGBTGenX3™w/Diode(ElectricallyIsolatedTab) ExtremeLightPunchThroughIGBTfor20-60kHzSwitching Features •Optimizedfor20-60kHzSwitching •PlasticOvermoldedTabforElectricalIsolation •SquareRBSOA •AvalancheRated •Anti-ParallelFastDiode •ShortCircuitCapabi

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IXYP15N65C3D1M

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 16A 48W TO-220

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IXYA15N65C3D1

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IXYA15N65C3D1

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产品属性

  • 产品编号:

    IXYP15N65C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    270µJ(开),230µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/68ns

  • 测试条件:

    400V,15A,20 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 650V 38A 200W TO220

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更多IXYP15N65C3D1供应商 更新时间2024-5-9 14:12:00