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IXTP180N055T分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXTP180N055T |
| 参数属性 | IXTP180N055T 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个；产品描述：MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB |
| 功能描述 | Trench Gate Power MOSFET |
| 文件大小 |
117.16 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-30 19:00:00 |
IXTP180N055T规格书详情
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Features
• International standard packages
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
IXTP180N055T属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXTP180N055T晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
- 产品编号：
IXTP180N055T
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
180A（Tc）
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 1mA
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 描述：
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1922+ |
TO-220 |
274 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
23+ |
TO220 |
18000 |
询价 | ||||
IXYS |
1816+ |
TO-220 |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO2203 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS |
2020+ |
16 |
20000 |
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IXYS |
1746+ |
TO220 |
8862 |
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IXYS |
07+/08+ |
TO-220 |
90 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TOTO-220 |
12300 |
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询价 |
