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IXTH6N150中文资料PDF规格书

IXTH6N150
厂商型号

IXTH6N150

功能描述

High Voltage Power MOSFETs

文件大小

135.75 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 16:40:00

IXTH6N150规格书详情

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Features

● International Standard Packages

● Molding Epoxies Weet UL 94 V-0

Flammability Classification

● Fast Intrinsic Diode

● Low Package Inductance

Advantages

● Easy to Mount

● Space Savings

● High Power Density

Applications

● High Voltage Power Supplies

● Capacitor Discharge

● Pulse Circuits

产品属性

  • 型号:

    IXTH6N150

  • 功能描述:

    MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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