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IXGT20N60BD1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGT20N60BD1
厂商型号

IXGT20N60BD1

参数属性

IXGT20N60BD1 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 40A 150W TO268

功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode
IGBT 600V 40A 150W TO268

文件大小

54.26 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 18:00:00

IXGT20N60BD1规格书详情

VCES = 600 V

IC25 = 40 A

VCE(sat)typ = 1.7 V

tfi(typ) = 100 ns

Features

• International standard packages

• High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package

• High current handling capability

• HiPerFASTTM HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on

-drive simplicity

Applications

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• Space savings (two devices in one package)

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Very low switching losses for high frequency applications

• Easy to mount with 1 screw,TO-247 (insulated mounting screw hole)

IXGT20N60BD1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGT20N60BD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGT20N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    700µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/110ns

  • 测试条件:

    480V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 150W TO268

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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