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IXGM25N100分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXGM25N100 |
参数属性 | IXGM25N100 封装/外壳为TO-204AE;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:POWER MOSFET TO-3 |
功能描述 | Low VCE(sat), High speed IGBT |
文件大小 |
106.55 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 22:59:00 |
IXGM25N100规格书详情
Features
● International standard packages
● 2nd generation HDMOSTM process
● Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
● High current handling capability
● MOS Gate turn-on
- drive simplicity
● Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)
Applications
● AC motor speed control
● DC servo and robot drives
● DC choppers
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Switch-mode and resonant-mode power supplies
Advantages
● Easy to mount with 1 screw (TO-247) (isolated mounting screw hole)
● High power density
IXGM25N100属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGM25N100晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXGM25N100A
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
4V @ 15V,25A
- 开关能量:
5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
100ns/500ns
- 测试条件:
800V,25A,33 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-204AE
- 供应商器件封装:
TO-204AE
- 描述:
POWER MOSFET TO-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS |
2020+ |
TO-3 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IXYS |
9352+ |
TO-3 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
2016+ |
TO-3 |
6526 |
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询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-3 |
35830 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO-3 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
9352+ |
TO-3 |
35 |
普通 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO-204 |
35210 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2102+ |
TO-3 |
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询价 |