选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯PMPAN |
36 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IXYS/IXYS Integrated CircuitsTO-247 |
178 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TO-3P |
6528 |
2017+ |
只做原装正品假一赔十! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
20000 |
22+ |
原装现货,假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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IXYSTO-3P |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
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IXYSTO-247 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯NA/ |
59 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯PMPAN |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO3P |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
44 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
59 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IXYS/IXYS Integrated CircuitsTO-247 |
294 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220F |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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IXYS |
10 |
99 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IXGH32N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGH32N60图片
IXGH32N60C中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH32N60A制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH32N60AS制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH32N60AU1功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60AU1S制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack
IXGH32N60B功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60B_03制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH32N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH32N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH32N60BU1S功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD