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IXGA7N60BD1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGA7N60BD1
厂商型号

IXGA7N60BD1

参数属性

IXGA7N60BD1 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 14A 80W TO263

功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode
IGBT 600V 14A 80W TO263

文件大小

84.46 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 13:40:00

IXGA7N60BD1规格书详情

Features

• International standard packages

JEDEC TO-263 surface

mountable and JEDEC TO-220 AB

• High current handling capability

• HiPerFASTTM HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

IXGA7N60BD1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGA7N60BD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGA7N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    300µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    10ns/100ns

  • 测试条件:

    480V,7A,18 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AA

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 80W TO263

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