选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263(D2PAK) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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8866 |
08+(pbfree) |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-220 |
12888 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-263(D2PAK |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263(D2PAK) |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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IXYSTO263 (IXGA) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO263 (IXGA) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IXYSTO-263(D2PAK) |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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原装正品TO-263 |
67804 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
IXGA7N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGA7N60图片
IXGA7N60CD1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGA7N60B功能描述:IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGA7N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGA7N60C功能描述:IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGA7N60CD1功能描述:IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube