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IXFR48N50Q	文件：58.57 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™,Q-Class(ElectricallyIsolatedBackside) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR48N50Q	文件：540.23 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFE48N50Q	文件：559.15 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •ConformstoSOT-227Boutline •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •Fastintrins	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFK48N50	文件：114.27 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features Internationalstandardpackages MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification SOT-227BminiBLOCwithaluminiumnitrideisolation LowRDS(on)HDMOS™process UnclampedInductiveSwitching(UIS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFK48N50	文件：328.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK48N50Q	文件：329.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK48N50Q	文件：48.2 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS HiPerFET™PowerMOSFETsQ-CLASSSingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQgHighdV/dt,Lowtrr Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN48N50	文件：114.27 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features Internationalstandardpackages MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification SOT-227BminiBLOCwithaluminiumnitrideisolation LowRDS(on)HDMOS™process UnclampedInductiveSwitching(UIS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFN48N50	文件：607.69 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN48N50	文件：594.06 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·Synchronousrectification ·Batterychargers ·Switched-modeandresonant-modepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFN48N50Q	文件：572.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN48N50Q	文件：80.52 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •LowRDS(on) •Fastintrinsicdiode •Internationalst	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX48N50	文件：368.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX48N50Q	文件：581.16 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SMOS48N50	文件：187.35 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SMOS48N50	文件：181.78 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
IXFR48N50Q
功能描述：
MOSFET 40 Amps 500V 0.1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXFR48N50Q	IXYS	24+	ISOPLUS247?	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXFR48N50Q	IXYS/艾赛斯	17+	ISOPLUS247	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IXFR48N50Q	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247I	325680	原装正品华强现货	询价
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