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IXFR180N085	文件：42.06 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface) HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR180N085	文件：330.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK180N085	文件：51.77 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Ap	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFX180N085	文件：368.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA180N085T	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA180N085T	文件：219.77 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTC180N085T	文件：296.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTC180N085T	文件：187.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTH180N085T	文件：383.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXFR180N085
功能描述：
MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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