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IXFM50N20中文资料PDF规格书

IXFM50N20
厂商型号

IXFM50N20

功能描述

HIPERFET Power MOSFTETs

文件大小

295.27 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

IXFM50N20规格书详情

HiPerFETs

The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

产品属性

  • 型号:

    IXFM50N20

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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