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IXFH21N50Q	文件：562.11 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FMH21N50ES	文件：555.21 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMR21N50ES	文件：549.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMV21N50ES	文件：545.95 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
IXFH21N50	文件：158 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFH21N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH21N50	文件：336.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH21N50F	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs HiPerRFPowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRg HighdV/dt,Lowtrr Features •RFcapableMOSFETs •Doublemetalprocessforlowgateresistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFT21N50F	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETs HiPerRFPowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRg HighdV/dt,Lowtrr Features •RFcapableMOSFETs •Doublemetalprocessforlowgateresistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT21N50Q	文件：562.11 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH21N50	文件：107.4 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages LowRDS(on)HDMOS™process Ruggedpolysilicongatecellstructure Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH21N50	文件：143.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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SMOS21N50	文件：141.49 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETs	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
IXFH21N50Q
功能描述：
MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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