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IXFH18N60X	文件：384.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH18N60X	文件：189.15 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
18N60	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHVHIPERFETPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC18N60usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤0.5Ω@VGS=10V,ID=9A Ul	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N60	文件：147.42 Kbytes Page：3 Pages	600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N60	文件：61.05 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.4Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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18N60	文件：147.67 Kbytes Page：3 Pages	18A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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IXFH18N60P	文件：337.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH18N60P	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFV18N60PS	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTP18N60PM	文件：121.3 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •PlasticOvermoldedTabforElectricalIsolation •InternationalStandardPackage •LowRDS(on)andQG •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier Advantages •H	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ18N60P	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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中天科工半导体（深圳）有限公司	IXFH18N60X	IXYS	24+	TO-247(IXTH)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	IXFH18N60X	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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无锡固电半导体股份有限公司	IXFH18N60X	isc	2024	TO-247	140	国产品牌isc,可替代原装	询价

更多IXFH18N60X供应商更新时间2024-5-21 14:14:00

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