IXFC60N20中文资料PDF规格书
IXFC60N20规格书详情
HiPerFET™ MOSFET ISOPLUS220™
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low trr, HDMOS™ Family
Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
• Low drain to tab capacitance(<35pF)
• Low RDS (on)
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Fast intrinsic Rectifier
Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• AC motor control
Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density
• Low collector capacitance to ground (low EMI)
产品属性
- 型号：
IXFC60N20
- 功能描述：
MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
isc |
2024 |
TO-220F |
175 |
国产品牌isc,可替代原装 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
ISOPLUS220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
原装正品 |
23+ |
TO-220 |
60599 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS22 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
ISOPLUSTO-220 |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
ISOPLUS220 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-220 |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
询价 |
