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IXBT42N300HV	文件：266 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features •HighVoltagePackage •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage •FBSOA •SCSOA Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •LaserGenerators •CapacitorDischargeCircuits •ACSwitches •ProtectionCircu	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT42N300HV	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 42A 357W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBF42N300	文件：209.95 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●3000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighPeakCurrentCapability ●LowSaturationVoltage ●FBSOARated ●SCSOARated Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensit	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH42N300HV	文件：266 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltagePackage •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage •FBSOA •SCSOA Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •LaserGenerators •CapacitorDischargeCircuits •ACSwitches •ProtectionCircu	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBT42N300HV
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，42A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
72ns/445ns
测试条件：
1500V，42A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268HV
描述：
IGBT 3000V 42A 357W TO268

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXBT42N300HV	IXYS	23+	TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	IXBT42N300HV	IXYS	23+	DIP18	6000	15年原装正品企业	询价
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