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IXBT20N300HV分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXBT20N300HV |
| 参数属性 | IXBT20N300HV 封装/外壳为TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 3000V 50A 250W TO268 |
| 功能描述 | High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
| 文件大小 |
206.26 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-28 19:39:00 |
IXBT20N300HV规格书详情
Features
● High Voltage Package
● High Blocking Voltage
● Anti-Parallel Diode
● Low Conduction Losses
Advantages
● Low Gate Drive Requirement
● High Power Density
Applications:
● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
● Uninterruptible Power Supplies (UPS)
● Laser Generators
● Capacitor Discharge Circuits
● AC Switches
IXBT20N300HV属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBT20N300HV晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXBT20N300HV
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
BIMOSFET™
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，20A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 供应商器件封装：
TO-268AA
- 描述：
IGBT 3000V 50A 250W TO268
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/Littelfuse |
23+ |
TO-268 |
1440 |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
询价 | ||
IXYS |
09+ |
TO-268 |
94 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO268 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
10866 |
全新原装 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-268 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-268 |
8866 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 |
