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IXBL64N250	文件：191.79 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBL64N250	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：ISOPLUSi5-Pak™ 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBK64N250	文件：198.32 Kbytes Page：6 Pages	MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighBlockingVoltage •LowSwitchingLosses •HighCurrentHandlingCapability •Anti-ParallelDiode Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement Applications •Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies •UninterruptedPowerSupplies(UPS) •CapacitorDisc	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXBL64N250
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，64A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装：
ISOPLUSi5-Pak™
描述：
IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5

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