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C2310	文件：274.97 Kbytes Page：5 Pages	TCXOEFCStandardStandardSurfaceMountPackageLowPhaseNoiseoptionLowProfile Features EFCStandard StandardSurfaceMountPackage LowPhaseNoiseoption LowProfile TypicalApplications PCSBaseStations LandMobileRadio CellularTelephony RadiointheLocalLoop	Vectron VECTRON	Vectron
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CDCVF2310MPWEP	文件：740.35 Kbytes Page：16 Pages	2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CDCVF2310MPWREP	文件：740.35 Kbytes Page：16 Pages	2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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CDCVF2310PW	文件：884.42 Kbytes Page：23 Pages	High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CDCVF2310PWR	文件：736.18 Kbytes Page：16 Pages	2.5-VTO3.3-VHIGH-PERFORMANCECLOCKBUFFER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCVF2310PWR	文件：884.42 Kbytes Page：23 Pages	High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CEH2310	文件：107.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,6.2A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSOP-6package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEH2310L	文件：501.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,6.1A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2310L	文件：911.11 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2310	文件：549.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,4.8A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=60mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CES2310L	文件：482.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM2310PT	文件：352.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT4.8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-59) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplicatio	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJ2310	文件：1.19603 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
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CM2310	文件：220.86 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125)	CMLCML CML	CML

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详细参数

型号：
ISP2310
制造商：
QLOGIC

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