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ISL9V5045S3ST-F085C分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ISL9V5045S3ST-F085C |
| 参数属性 | ISL9V5045S3ST-F085C 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263 |
| 功能描述 | ECOSPARK Ignition IGBT 500 mJ, 450 V, N-Channel Ignition IGBT |
| 文件大小 |
1.22966 Mbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-30 18:00:00 |
ISL9V5045S3ST-F085C规格书详情
Features
• SCIS Energy = 500 mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Applications
• Automotive Ignition Coil Driver Circuits
• High Current Ignition System
• Coil on Plug Applications
ISL9V5045S3ST-F085C属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的ISL9V5045S3ST-F085C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
ISL9V5045S3ST-F085C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
EcoSPARK®
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 4V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/10.8µs
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK-3（TO-263-3）
- 描述：
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
Intersi |
23+ |
NA |
10826 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
RENESASELECTRONICSAMERICAINC |
22+ |
72-QFN10x10 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
12048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
23+ |
72-QFN(10x10) |
3500 |
特惠实单价格秒出原装正品假一罚万 |
询价 | ||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
57500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
Intersil |
22+ |
72QFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
Intersil |
21+ |
72-QFN10X10 |
12588 |
原装正品,价格优势 |
询价 |
