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ISL70024SEHML	文件：512.87 Kbytes Page：13 Pages	200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor Features •VerylowrDS(ON)45mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge2.5nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=160V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70024SEHradiationacceptance(seeTIDreport) •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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