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ISL6614AIBZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
6614C	文件：159.51 Kbytes Page：6 Pages	6610CSeriesSingle-Output,40-50WGPIBPowerSupplies	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司
ADRF6614	文件：2.96553 Mbytes Page：61 Pages	700MHzto3000MHz,DualPassiveReceiveMixerwithIntegratedPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADRF6614-EVALZ	文件：2.96553 Mbytes Page：61 Pages	700MHzto3000MHz,DualPassiveReceiveMixerwithIntegratedPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ATA6614Q	文件：9.79867 Mbytes Page：311 Pages	32KFlashMicrocontrollerwithLINTransceiver,5VRegulatorandWatchdog	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
BOXER-6614	文件：520.46 Kbytes Page：2 Pages	FanlessEmbeddedBoxPCwithIntel®Celeron®N2930QuadCore1.83GHz/Celeron®N2807DualCore1.58GHz Features ■Intel®Celeron®N2930QuadCore1.83GHz/Celeron®N2807Dual Core1.58GHz ■Intel®HDGraphicsEngine ■DDR3L1333MHzSODIMMx1,Memoryupto8GB ■Intel®GigabitEthernetx2 ■VGA+HDMIOutput,SupportsDualView/SimultaneousDisplay ■RS-232/422/485x2,RS-232x2,USB	AAEONAAEON Technology 研华科技研华科技股份有限公司
CPH6614	文件：54.76 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETsGeneral-PurposeSwitchingDevice	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
FDS6614A	文件：275.19 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •9.3A,30V.RDS(ON)=0.018Ω@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FTLX6614MCC	文件：354.07 Kbytes Page：16 Pages	800ps/nm(40km)TunableXFPOpticalTransceiver	Finisar Finisar
FTLX6614MCC-XX	文件：354.07 Kbytes Page：16 Pages	800ps/nm(40km)TunableXFPOpticalTransceiver	Finisar Finisar
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IRF6614	文件：259.35 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPowerMOSFET Description TheIRF6614combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6614PBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6614PBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPowerMOSFET Description TheIRF6614PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistingla	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6614TRPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPowerMOSFET Description TheIRF6614PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistingla	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6614TRPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF6614TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	BenchmarkMOSFETsProductSelectionGuide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
ISL6614	文件：559.13 Kbytes Page：30 Pages	VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoring VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334,ISL6334Acontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresult	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ISL6614	文件：331.25 Kbytes Page：12 Pages	DualAdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ISL6614	文件：603.64 Kbytes Page：12 Pages	DualAdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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产品属性

产品编号：
ISL6614AIBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ISL6614AIBZ-T供应商更新时间2024-4-27 16:18:00

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