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ISL6209CBZ集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料

ISL6209CBZ
厂商型号

ISL6209CBZ

参数属性

ISL6209CBZ 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

High Voltage Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

文件大小

1.24943 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 21:36:00

ISL6209CBZ规格书详情

High Voltage Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver

The ISL6209 is a high frequency, dual MOSFET driver, optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology in mobile computing applications. This driver, combined with an Intersil Multi-Phase Buck PWM controller, such as ISL6216, ISL6244, and ISL6247, forms a complete single-stage core-voltage regulator solution for advanced mobile microprocessors.

Features

• Drives Two N-Channel MOSFETs

• Shoot-Through Protection

- Active gate threshold monitoring

- Programmable dead-time

• 30V Operation Voltage

• 0.4Ω On-Resistance and 4A Sink Current Capability

• Supports High Switching Frequency

- Fast output rise time

- Propagation delay 8ns

• Three-State PWM Input for Power Stage Shutdown

• Internal Bootstrap Schottky Diode

• QFN Package:

- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220

QFN - Quad Flat No Leads - Package outline

- Near Chip Scale Package footprint, which improves

PCB efficiency and has a thinner profile

• Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)

Applications

• Core Voltage Supplies for Intel and AMD® Mobile Microprocessors

• High Frequency Low Profile DC/DC Converters

• High Current Low Output Voltage DC/DC Converters

• High Input Voltage DC/DC Converter

ISL6209CBZ属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。瑞萨科技有限公司制造生产的ISL6209CBZ栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

  • 产品编号:

    ISL6209CBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.8V,3.1V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    8ns,8ns

  • 工作温度:

    -10°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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