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IS62WV25616BLL-55BLI	文件：112.06 Kbytes Page：14 Pages	256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
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IS62WV25616BLL-55TLI	文件：112.06 Kbytes Page：14 Pages	256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS62WV25616BLL-55BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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