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IS61NLP25672-200B1LI

包装:托盘 封装/外壳:209-BGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS61NLP25672-200B1LI-TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:209-BGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS61NLP25672-200B1

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS61NLP25672-200B1I

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS61NLP25672-200B1LI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    18Mb(256K x 72)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    209-BGA

  • 供应商器件封装:

    209-LFBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

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ISSI
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更多IS61NLP25672-200B1LI供应商 更新时间2024-4-30 16:30:00