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IS61NLF51236-7.5B3集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

IS61NLF51236-7.5B3
厂商型号

IS61NLF51236-7.5B3

参数属性

IS61NLF51236-7.5B3 封装/外壳为165-TBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

功能描述

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

文件大小

251.56 Kbytes

页面数量

35

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSIISSI公司

中文名称

ISSI有限公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-6 17:51:00

IS61NLF51236-7.5B3规格书详情

IS61NLF51236-7.5B3属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS61NLF51236-7.5B3存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    IS61NLF51236-7.5B3I-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-TFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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