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IS61C67	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61C67-15N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61C67-20N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61C67-25N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61C67-L15N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61C67-L20N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61C67-L25N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS61C67
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS61C67供应商更新时间2024-5-15 15:36:00

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