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IS43R16160F集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS43R16160F |
| 参数属性 | IS43R16160F 封装/外壳为60-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
| 功能描述 | Auto Precharge |
| 文件大小 |
1.11874 Mbytes |
| 页面数量 |
32 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
| 中文名称 | ISSI有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-19 22:30:00 |
IS43R16160F规格书详情
IS43R16160F属于集成电路（IC） > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43R16160F存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
IS43R16160F-5BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR
- 存储容量：
256Mb（16M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
60-TFBGA
- 供应商器件封装：
60-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2020+ |
TSOP66 |
80000 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
23+ |
TFBGA60(8x13) |
6000 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
23+ |
TSOP6610.2mm |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
24+ |
TSOP66 |
860000 |
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ISSI |
2023+ |
SMD |
20 |
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ISSI |
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1983 |
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ISSI |
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NA |
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ISSI |
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ISSI |
2023+ |
TSSOP66 |
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