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IS43LR16800G集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IS43LR16800G |
参数属性 | IS43LR16800G 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA |
功能描述 | DM for write masking only |
文件大小 |
1.85631 Mbytes |
页面数量 |
43 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
中文名称 | ISSI有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 18:47:00 |
IS43LR16800G规格书详情
IS43LR16800G属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43LR16800G存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
IS43LR16800G-6BLI-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:
128Mb(8M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-TFBGA(8x10)
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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