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IS43DR16640A-3DBL集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IS43DR16640A-3DBL |
参数属性 | IS43DR16640A-3DBL 封装/外壳为84-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
功能描述 | Clock frequency up to 400MHz |
文件大小 |
855.01 Kbytes |
页面数量 |
28 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-20 10:55:00 |
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IS43DR16640A-3DBL规格书详情
IS43DR16640A-3DBL属于集成电路(IC) > 存储器。北京矽成半导体有限公司制造生产的IS43DR16640A-3DBL存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
IS43DR16640A-3DBL
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
1Gb(64M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
84-TFBGA
- 供应商器件封装:
84-TWBGA(8x13.65)
- 描述:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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