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IS42S83200J-6TL | 包装:卷带(TR) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | ISSI | |
包装:卷带(TR) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | ISSI | ||
包装:管件 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司 | ISSI |
产品属性
- 产品编号:
IS42S83200J-6TL
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM
- 存储容量:
256Mb(32M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
54-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2018+ |
SMD |
15600 |
动态随机存取存储器256M |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
54-TSOP II |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ISSI |
1931+ |
N/A |
493 |
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ISSI(美国芯成) |
2117+ |
TSOPII-54 |
315000 |
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询价 | ||
ISSI |
20+ |
TSOP-54 |
324 |
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ISSI(美国芯成) |
2021+ |
TSOPII-54 |
499 |
询价 | |||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
54-TSOP(0.400,10.16mm 宽) |
2000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI |
21+ROHS |
TSOP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INTEGRATED SILICON SOLUTION |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
23+ |
TSOPII54 |
7350 |
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