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IS42S81600D-7TL	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysynchronous;allsignal	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS42S81600D-7TL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS42S81600D-7TLI	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysynchronous;allsignal	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS42S81600D-7TL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS42S81600D-7T	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Megx8,8Megx16128-MBITSYNCHRONOUSDRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysynchronous;allsignal	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS42S81600D-7TI	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Megx8,8Megx16128-MBITSYNCHRONOUSDRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysynchronous;allsignal	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS42S81600D-7TL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
54-TSOP II
描述：
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

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