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IS42S16800E集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

IS42S16800E

厂商型号	IS42S16800E
参数属性	IS42S16800E 封装/外壳为54-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
功能描述	16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
文件大小	934.55 Kbytes
页面数量	61 页
生产厂商	Integrated Silicon Solution Inc
企业简称	ISSI【ISSI公司】
中文名称	ISSI有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-14 22:59:00

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IS42S16800E规格书详情

IS42S16800E属于集成电路（IC） > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS42S16800E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
IS42S16800E-6BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
128Mb（8M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TFBGA
供应商器件封装：
54-TFBGA（8x8）
描述：
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

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