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IRS2183SPBF中文资料PDF规格书

IRS2183SPBF
厂商型号

IRS2183SPBF

参数属性

IRS2183SPBF 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

HALF-BRIDGE DRIVER

文件大小

486.88 Kbytes

页面数量

24

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 11:09:00

IRS2183SPBF规格书详情

Description

The IRS2183/IRS21834 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.

Features

• Floating channel designed for bootstrap operation

• Fully operational to +600 V

• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10 V to 20 V

• Undervoltage lockout for both channels

• 3.3 V and 5 V input logic compatible

• Matched propagation delay for both channels

• Logic and power ground +/- 5 V offset

• Lower di/dt gate driver for better noise immunity

• Output source/sink current capability 1.4 A/1.8 A

产品属性

  • 产品编号:

    IRS2183SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.9A,2.3A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    40ns,20ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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