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IDCP-3114	文件：88.01 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors-Non-Shielded FEATURES •Highenergystorage •Lowresistance •Tapeandreelpackagingforautomatichandling •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 MATERIALS Core:ferrite Wire:enamelledcopperwire Terminals:NiandSn/Ag/Cu	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IDCP-3114	文件：244.54 Kbytes Page：2 Pages	SMDMagneticsPackagingMethods	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IDCP-3114	文件：90.91 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IDCP-3114	文件：53.96 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrent,SurfaceMountInductor SMDMagneticsPackagingMethods	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IIRLR3114Z	文件：335.52 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3114Z	文件：335.52 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3114ZPBF	文件：321 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3114ZPBF	文件：745.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3114Z	文件：247.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K3114	文件：1.08737 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K3114B	文件：1.08719 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KSC3114	文件：25.27 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyAmplifierHighFrequencyOSC.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KTC3114	文件：395.14 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURE •HighDCCurrentGain:hFE=6003600.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3114	文件：422.75 Kbytes Page：1 Pages	TO-126PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3114	文件：249.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=50V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=0.25V(Max)@IC=100mA APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LDC3114	文件：1.69349 Mbytes Page：54 Pages	LDC31144-ChannelHybridInductiveTouchandInductancetoDigitalConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LDC3114	文件：2.42286 Mbytes Page：61 Pages	LDC31144-ChannelHybridInductiveTouchandInductancetoDigitalConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LDC3114QPWR	文件：2.42286 Mbytes Page：61 Pages	LDC31144-ChannelHybridInductiveTouchandInductancetoDigitalConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
M-3114	文件：158.63 Kbytes Page：3 Pages	3/8SquareDriveSockets,SAE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
MN3114	文件：84.38 Kbytes Page：12 Pages	VerticalDriver(8channels)forCCDAreaImageSensors ■Overview TheMN3114isan8-channelverticaldriverfortwodimensionalinterlineCCDareaimagesensorsthatalsointegratesasingleSUBdriverchannelonthesamechip. AdoptionofthisICcanreducebothpowerconsumptionandpartscountsinendproducts. ■Features •Verticaldriverbloc	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic

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详细参数

型号：
IRLU3114ZPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLU3114ZPBF供应商更新时间2024-6-3 16:30:00

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