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IRLU024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU024N	文件：173.02 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU024N	文件：939.62 Kbytes Page：10 Pages	Logic-Level Gate Drive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLU024N	文件：246.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU024NPBF	文件：304.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU024NPBF	文件：995.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
024AC	文件：1.60394 Mbytes Page：3 Pages	PCboardmountinganddirectinsertmountingavailable	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 华兴安深圳市华兴安电子有限公司	HUAXINAN
ACPL-024L	文件：123.52 Kbytes Page：11 Pages	LowPower,5MBdDigitalCMOSOptocoupler Description ACPL-M21L(singlechannelSO-5package),ACPL-021L(singlechannelSO-8package)andACPL-024L(dualchannelSO-8package)areoptically-coupledlogicgates.ThedetectorIChasCMOSoutputstageandopticalreceiverinputstagewithbuilt-inSchmitttriggertoprovidelogic-compatibl	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
ACPL-024L	文件：721.15 Kbytes Page：16 Pages	LowPower,5-MBdDigitalCMOSOptocoupler	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ACPL-024L	文件：721.15 Kbytes Page：16 Pages	LowPower,5-MBdDigitalCMOSOptocoupler	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ADC-024	文件：214.2 Kbytes Page：3 Pages	DCPOWERJACKSPCBOARDANDPANELMOUNT	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
ADE024A	文件：171.1 Kbytes Page：4 Pages	DIPSwitches,ExtendedActuator,AutoInsertable,ThroughHoleandSurfaceMount	MACOM Tyco Electronics	MACOM
ALT024-S	文件：234.66 Kbytes Page：2 Pages	8-pinPlug-inAlternatingRelay Description TheALTseriesalternatingrelaysareusedtoalternatebetween twoloads.TheALTiscommonlyusedinduplexpumping applicationstobalancetheruntimeofbothpumps. TheALT-Sisusedinsinglehigh-levelfloatapplications.When thefloatswitchopens,thealternatingrelaych	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
ALT024-S-SW	文件：234.66 Kbytes Page：2 Pages	8-pinPlug-inAlternatingRelay Description TheALTseriesalternatingrelaysareusedtoalternatebetween twoloads.TheALTiscommonlyusedinduplexpumping applicationstobalancetheruntimeofbothpumps. TheALT-Sisusedinsinglehigh-levelfloatapplications.When thefloatswitchopens,thealternatingrelaych	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
AN_GSM_024	文件：383.15 Kbytes Page：3 Pages	4G/3G/GSMantenna900/1800/2100MH5dBimonopole	MASWELLSuzhou Maswell Communication Technology Co. Ltd 迈斯维苏州迈斯维通信技术有限公司	MASWELL
AN024	文件：285.86 Kbytes Page：7 Pages	ForLCDMotherboardPowerSupplyUsingAIC1563	AIC AIC	AIC
AUIRFL024N	文件：190.25 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance V(BR)DSS55V RDS(on)max.75mΩ ID2.8A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththefastswitchings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFL024N	文件：213.71 Kbytes Page：11 Pages	LowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AUIRFL024NTR	文件：190.25 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance V(BR)DSS55V RDS(on)max.75mΩ ID2.8A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththefastswitchings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR024N	文件：385.56 Kbytes Page：13 Pages	LowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
IRLU024N
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLU024N供应商更新时间2024-6-18 14:00:00

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