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CDLL3036B	文件：23.41 Kbytes Page：2 Pages	1WATTZENERDIODES •1N3016BUR-1thru1N3045BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXV PERMIL-PRF-19500/115 •1WATTZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
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CZRB3036	文件：153.56 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIDlessthan1uAabove11V -Hightemperaturesoldering260°C/10secondsatt	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DMC3036LSD	文件：451 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMP3036SFG	文件：483.09 Kbytes Page：7 Pages	30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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详细参数

型号：
IRLS3036TRRPBF
功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 91nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRLS3036TRRPBF供应商更新时间2024-6-19 11:04:00

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