选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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41864 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
7560 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
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INFINEONTO-263 |
6193 |
22+ |
全新原装正品 现货 优势供应 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT263 |
12916 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT263 |
8648 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
3 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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INFINEON原厂封装 |
800 |
22+ |
原装正品,渠道可追溯 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
7380 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市华康联电子科技有限公司15年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
23+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT263 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK-7P |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONNA |
800 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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1000 |
21+ |
原装现货,假一赔十! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
300 |
18+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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IRLS3036TRLPBF价格
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IRLS3036-7PPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLS3036-7PPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 1.9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLS3036-7PPBF_10制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRLS3036-7TRLPBF制造商:International Rectifier 功能描述:IRLS3036-7TRLPBF - Tape and Reel
IRLS3036PBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLS3036TRL7PP功能描述:MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLS3036TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLS3036TRRPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube