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8113-RC	文件：103.77 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductors(withOptionalHeader)Dielectricstrength:1500Vrms	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
A8113	文件：841.54 Kbytes Page：12 Pages	HIGHPOWERWHITELEDDRIVER300mAULTRA-LOWNOISE,ULTRA-FAST DESCRIPTION TheA8113isdesignedforportableRFandwirelessapplicationswithdemandingperformanceandspacerequirements.TheA8113performanceisoptimizedforbattery-poweredsystemstodeliverultralownoiseandlowquiescentcurrent.Anoisebypasspinisavailableforfurtherreduction	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
ACL-8113A	文件：349.41 Kbytes Page：1 Pages	ISADAQ/DIOCards	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AD8113	文件：1.39102 Mbytes Page：28 Pages	Audio/Video60MHz16X16,G=2CrosspointSwitch PRODUCTDESCRIPTION TheAD8113isafullybufferedcrosspointswitchmatrixthatoperateson±12Vforaudioapplicationsand±5Vforvideoapplications.Itoffersa–3dBsignalbandwidthgreaterthan60MHzandchannelswitchtimesoflessthan60nswith0.1settlingforuseinbothanalogan	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8113JST	文件：1.39102 Mbytes Page：28 Pages	Audio/Video60MHz16X16,G=2CrosspointSwitch PRODUCTDESCRIPTION TheAD8113isafullybufferedcrosspointswitchmatrixthatoperateson±12Vforaudioapplicationsand±5Vforvideoapplications.Itoffersa–3dBsignalbandwidthgreaterthan60MHzandchannelswitchtimesoflessthan60nswith0.1settlingforuseinbothanalogan	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8113JSTZ	文件：1.39686 Mbytes Page：28 Pages	Audio/Video60MHz1616,G=2CrosspointSwitch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AH8113	文件：465.58 Kbytes Page：9 Pages	HALLSWITHLOWPOWER,HIGHSENSITIVITY,CMOSHALLSWITCH DESCRIPTION TheAH8113isanintegratedhall-effectsensordesignedspecificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices.e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,withbatteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperaturestabilityareac	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AH8113ZSB	文件：465.58 Kbytes Page：9 Pages	HALLSWITHLOWPOWER,HIGHSENSITIVITY,CMOSHALLSWITCH DESCRIPTION TheAH8113isanintegratedhall-effectsensordesignedspecificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices.e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,withbatteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperaturestabilityareac	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AH8113ZSVB	文件：465.58 Kbytes Page：9 Pages	HALLSWITHLOWPOWER,HIGHSENSITIVITY,CMOSHALLSWITCH DESCRIPTION TheAH8113isanintegratedhall-effectsensordesignedspecificallytomeettherequirementsoflow-powerdevices.e.g.asanOn/OffswitchinCellularFlip-Phones,withbatteryoperatingvoltagesof1.65V-5.5V. Precisemagneticswitchingpointsandhightemperaturestabilityareac	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AK8113	文件：164.68 Kbytes Page：6 Pages	SingleClockGenerator	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
BD8113EFV	文件：389.19 Kbytes Page：20 Pages	WhiteBacklightLEDDriverforMediumtoLargeLCDPanels(SwitchingRegulatorType)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD8113EFV	文件：212.44 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C8113	文件：25.61 Kbytes Page：1 Pages	TinnedCopperconductor,FEPInsulation,twistedpairs,overallfoilshiedandPlenum-PVCJacketedPlenumCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CMT-8113	文件：91.69 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductors	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
DS8113	文件：227.67 Kbytes Page：17 Pages	SmartCardInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS8113	文件：160.08 Kbytes Page：17 Pages	SmartCardInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS8113-JNG+	文件：227.67 Kbytes Page：17 Pages	SmartCardInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS8113-RNG+	文件：227.67 Kbytes Page：17 Pages	SmartCardInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS8113-RNG+	文件：160.08 Kbytes Page：17 Pages	SmartCardInterface	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
ECWH8113MV	文件：98.97 Kbytes Page：7 Pages	MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic

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详细参数

型号：
IRLR8113TR
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLR8113TR供应商更新时间2024-6-14 15:39:00

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