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PT8103A	文件：231.38 Kbytes Page：14 Pages	40-A3.3/5-VInputProgrammableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT8103C	文件：231.38 Kbytes Page：14 Pages	40-A3.3/5-VInputProgrammableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT8103N	文件：231.38 Kbytes Page：14 Pages	40-A3.3/5-VInputProgrammableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
sit8103	文件：1.040505 Mbytes Page：17 Pages		SITIMESiTime Corp. 赛特时脉美商赛特时脉股份有限公司	SITIME
SPW8103S	文件：749.34 Kbytes Page：4 Pages	DualOP-AMPand2.5V0.7VoltageReference	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
TPC8103	文件：996.67 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8103	文件：292.42 Kbytes Page：5 Pages	TRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=9.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=20S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(max)(VDS=−	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8103	文件：254.55 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS4) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=9.4mΩ(typ.)(VGS=−10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8103	文件：1.0901 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •Notebook -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCA8103	文件：288.36 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCC8103	文件：223.37 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=9.4mΩ(typ.)(VGS=−10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCC8103	文件：225.87 Kbytes Page：7 Pages	NoteboookPCApplicationsPortableEqipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCC8103	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：82.4 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U竊뛏OS?? SwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to300(IC=0.3A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.2V(max) •High-speedswitching:tf=100ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：264.38 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：212.63 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(UltraHighspeedU-MOSIII) HighEfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications CCFLInverterApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Highspeedswitching •Smallgatecharge:QSW=6.5nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=31	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：253.51 Kbytes Page：7 Pages	HighEfficiencyDC-DCConverterApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplicationsCCFLInverterApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TQ8103	文件：194.26 Kbytes Page：9 Pages	622Mb/sClock&DataRecovery TheTQ8103isamonolithicclockanddatarecovery(CDR)ICthatreceivesNRZdata,extractsthehigh-speedclock,andpresentstheseparateddataandclockasitsoutputs.ThisdeviceisdesignedspecificallyforSONETOC-12andSDHSTM-4applicationsat622Mb/s. Features •Single-chipCDRcir	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint

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详细参数

型号：
IRLR8103VTRLPBF
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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