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深圳市弘扬芯城科技有限公司

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VBsemi(微碧)TO-252

5000

24+

诚信服务,绝对原装原盘。

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO252

7906200

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252

9203

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRD-pak

20000

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRD-Pak

19526

23+

标准国际(香港)有限公司

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IRLR8103VTR1925

1925

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司

10年 留言
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IRPLCC-52L

18000

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深圳市惊羽科技有限公司

4年 留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管

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24+25+/26+27+

1
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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IRTO252

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRTO252

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市勤思达科技有限公司

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IR

1018

23+

D-Pak

深圳市维尔达电子有限公司

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aosTO-252

80000

2023+

一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO252

68900

IR

原包原标签100%进口原装常备现货!

绿盛电子(香港)有限公司

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IRD-Pak

19889

2015+

一级代理原装现货,特价热卖!

深圳市星佑电子有限公司

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INTERNATIONA原厂原装

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05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市赛美科科技有限公司

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IRNA

8560

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

瀚佳科技(深圳)有限公司

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INTERNATI

35200

21+

一级代理/放心采购

深圳市豪迈兴电子有限公司

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IRTO-252

5825

2339+

公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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    王先生/綦先生【原装正品】

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5000

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原装正品,假一罚十

深圳市赛尔通科技有限公司

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SI

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IRLR8103VTRPBF LR8103V TO-252/D-PAK 原装正品现货可售样品

深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,常备大量的原装库存,厂家直销,授权分销公司现货库存供应IRLR8103VTRPBF,正品原装,现货热卖,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

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IRLR8103VTR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 89A, 9 mOhm, 27 nC Qg, Logic Level, D-Pak

IRLR8103VTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRLR8103VTRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR8103VTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRLR8103VTRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR8103VTRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR8103VTRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR8103VTRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件