| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
2000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY(威世)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
|
ITTO252 |
4050 |
23+ |
原厂原装正品 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
IRFNA/ |
151 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
IRSOT252 |
150000 |
00+ |
||||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-252-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRFTO-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IR252 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
|
深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
|
IRTO253 |
1259 |
2000 |
特价热销现货库存100%原装正品欢迎来电订购! |
|||
|
深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
|
VISHAYTO-252 |
35867 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IR252 |
1000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
|
深圳市科雨电子有限公司4年
留言
|
VISHAYTO-252 |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRFTO-252 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRFTO-252 |
151 |
23+ |
||||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRFTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
|
Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
|
IR252 |
1000 |
03+ |
普通 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
IRFTO-252 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
IRFTO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
IRLR120TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR120TR图片
IRLR120TRPBF价格
IRLR120TRPBF价格：￥2.9470品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRLR120TRPBF多少钱，想知道IRLR120TRPBF价格是多少？参考价：￥2.9470。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR120TRPBF批发价格及采购报价，IRLR120TRPBF销售排行榜及行情走势，IRLR120TRPBF报价。
IRLR120TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR120TR功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR120TRL功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR120TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR120TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR120TRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR120TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
