| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252 |
2000 |
24+ |
优势货源原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
24+ |
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热卖原装正品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TSSOP56 |
150 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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INFINEONTO252 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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IRNN/A |
2000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
140 |
18+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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深圳市世华芯科技有限公司1年
留言
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INFINEON原厂封装 |
8900 |
2147+ |
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15年芯片行业经验/只供原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
12475 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO252 |
14000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-252 |
16980 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
IRLR024NTR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRLR024NTRPBF价格
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全新原装IRLR024NTRPBLR021NN沟道MOS管17A/55VTO-252IR
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IRLR024NTRPBF IR TO-252 全新原装进口现货 宝芯创电子
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IRLR024NTRPBF 深圳宝芯创电子优势原装出售！假一罚十：0755-83553623
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IRLR024NTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR024NTR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR024NTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR024NTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024NTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024NTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR024NTRRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
