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IRLML2502TR中文资料PDF规格书
IRLML2502TR规格书详情
Description
These N-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.
• Ultra Low On-Resistance
• N-Channel MOSFET
• SOT-23 Footprint
• Low Profile (<1.1mm)
• Available in Tape and Reel
• Fast Switching
产品属性
- 型号：
IRLML2502TR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
SOT23-3 |
8880 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
SOT23-3 |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
询价 | |||
IR |
23+ |
PLCC-44L |
18000 |
询价 | |||
IR |
24+ |
SOT23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
lnfineon |
2020+ |
SOT23 |
210000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
询价 | ||
IOR |
23+ |
TO23 |
42500 |
全新原装 |
询价 | ||
IR |
SOT23-3 |
10265 |
提供BOM表配单只做原装货值得信赖 |
询价 | |||
IR |
23+ |
NA/ |
2500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
