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IRL7833S	文件：268.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL7833SPBF	文件：274.23 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
7833	文件：102.95 Kbytes Page：1 Pages	.250[6.35]PCQUICK-FITHEADER	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
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ACPM-7833	文件：199 Kbytes Page：20 Pages	CDMA1900(PCS)PowerAmplifierModule	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ACPM-7833	文件：199 Kbytes Page：20 Pages	DynamicbiascontrolforlowmidpowerIdd Description TheACPM-7833isafullymatchedCDMAPoweramplifiermodule.DesignedaroundAvagoTechnologies’newEnhancementModepHEMTprocess,theACPM-7833offerspremiumperformanceinaverysmallformfactor.Fullymatchedto50Ohmsontheinputandoutput. Features •Operatingfrequenc	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
ACPM-7833-BLK	文件：199 Kbytes Page：20 Pages	DynamicbiascontrolforlowmidpowerIdd Description TheACPM-7833isafullymatchedCDMAPoweramplifiermodule.DesignedaroundAvagoTechnologies’newEnhancementModepHEMTprocess,theACPM-7833offerspremiumperformanceinaverysmallformfactor.Fullymatchedto50Ohmsontheinputandoutput. Features •Operatingfrequenc	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
ACPM-7833-BLK	文件：199 Kbytes Page：20 Pages	CDMA1900(PCS)PowerAmplifierModule	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ACPM-7833-BLK	文件：189.49 Kbytes Page：21 Pages	CDMA1900(PCS)PowerAmplifierModule Description TheACPM-7833isafullymatchedCDMAPoweramplifiermodule.DesignedaroundAgilentTechnologies’newEnhancementModepHEMTprocess,theACPM-7833offerspremiumperformanceinaverysmallformfactor.Fullymatchedto50Ohmsontheinputandoutput. Features •Operatingfreque	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
ADS7833	文件：150.91 Kbytes Page：12 Pages	10-Channel,12-BitDATAACQUISITIONSYSTEM
ADS7833N	文件：150.91 Kbytes Page：12 Pages	10-Channel,12-BitDATAACQUISITIONSYSTEM
B7833	文件：61.49 Kbytes Page：6 Pages	Low-LossFilterforMobileCommunication	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
DS7833	文件：125.05 Kbytes Page：6 Pages	QuadTRI-STATEBusTransceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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HM7833MG	文件：1.11454 Mbytes Page：13 Pages	0.5ALowPowerLDO	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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HT7833	文件：125.27 Kbytes Page：11 Pages	500mATinyPowerTMLDO	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
HT7833-A	文件：2.98695 Mbytes Page：7 Pages	LDOLinearRegulator Features ●Highoutputvoltageaccuracy:accuracy±3 ●Ultra-lowpowerconsumptioncurrent:typicalvalue3uA ●Lowoutputvoltagetemperaturedrift:typicalvalue50ppm/℃ ●Highinputwithstandvoltage:riseto12Vtomaintainoutputvoltageregulation ●Packageform:TO-92,SOT89-3,SOT23-3	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW

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详细参数

型号：
IRL7833S
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRL7833S供应商更新时间2024-6-19 15:30:00

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