| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 263 |
161273 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
14000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-263-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRSMD |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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IORSOT263 |
9988 |
17+ |
只做原装进口,自己库存 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
25000 |
2018+ |
一级专营品牌全新原装热卖 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
20828 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
15335 |
2234+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBTO-263 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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irTO-220 |
15000 |
05+ |
原装进口 |
IRL5602采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL5602图片
IRL5602中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL5602S功能描述:MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL5602SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL5602SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL5602STRL功能描述:MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL5602STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRL5602STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL5602STRR功能描述:MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL5602STRRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
