选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO263 |
20000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO263 |
1600 |
2010 |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
15316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
11048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
10653 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON原封装 |
9960 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEON原封装 |
9960 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
15142 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市博正芯科技有限公司4年
留言
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INFINEOND2PAK |
2500 |
21+ |
INFINEON专卖,进口原装深圳现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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INTERNATIONALTO263 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IRSOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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INFINEONTO-263 |
12132 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
24705 |
10+ |
原盘环保/800 |
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IRL540NSTRLPBF价格
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IRL540NSTRLPBF资讯
IRL540NSTRLPBF 全新原装现货
IRL540NSTRLPBF
IRL540NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL540NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL540NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRL540NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL540NSTRLPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 3.8 W 74 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRL540NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL540NSTRRPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 36A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-16V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN D2PAK - Tape and Reel