选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1600 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市柯尔基电子有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
9865 |
23+/24+ |
用芯服务,原装正品MOS(场效应管) |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO263 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IORTO263 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IORTO263 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IORTO263 |
20816 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IRSOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRD2PAK |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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INFINEONN/A |
5000 |
22+ |
挂了就有,工厂库存,YX价优 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRSOT263 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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InfineonN/A |
493 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRD2PAK |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
25630 |
23+ |
原装正品 |
IRL520NSTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL520NSTR图片
IRL520NSTRLPBF价格
IRL520NSTRLPBF价格:¥2.2210品牌:IR
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IRL520NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL520NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRL520NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL520NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL520NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R