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IRL3803STRRPBF	文件：402.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
3803	文件：1.61927 Mbytes Page：119 Pages	SINGLE-CHIP8-BITCMOSMICROCOMPUTER	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
3803	文件：310.37 Kbytes Page：26 Pages	8-bitMICROCOMPUTER38000Series	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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ANS-3803	文件：136.2 Kbytes Page：3 Pages	ALUMINUMNEMA4XBOXWITHEMI/RFISHIELDING	BUD Bud Industries	BUD
B3803RGB	文件：862.04 Kbytes Page：15 Pages	TopviewChipLED	HarvatekHarvatek 宏齐科技股份有限公司宏齐	Harvatek
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DNK3803X	文件：249.73 Kbytes Page：11 Pages	Through-holeIRED/3HighSpeed,HighTotalOutputPowerType	Stanley Stanley Electric Co	Stanley

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详细参数

型号：
IRL3803STRR
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRL3803STRR供应商更新时间2024-6-14 15:39:00

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